Компанія Samsung Electronics представила прототип нової пам’яті 3D NAND, яка обіцяє значно підвищити продуктивність зберігання даних. Ця технологія є важливим кроком у розвитку флеш-пам'яті та має потенціал змінити ринок накопичувачів завдяки своїй здатності забезпечувати більшу щільність зберігання при менших витратах енергії. Прототип використовує інноваційні методи виготовлення, які дозволяють розміщувати більше ніж 200 шарів пам'яті один на одному. Це не лише збіль
Samsung Electronicsрозробила прототип першої в світі 900-шарової3D NANDпам’яті. Для цього інженери компанії об’єднали два 450-шарові кристали за допомогою технологіїCMB(Cell-on-Cell/multi-layer bonding). За даними корейських ЗМІ, на які посилається ITHome, працездатність осередків пам’яті вже підтверджена на зразках.
Технологія передбачає “склеювання” двох окремих “хмарочосів”NANDв єдину 900-шарову структуру, що пред’являє вкрай високі вимоги до точності суміщення та надійності з’єднання.
У ході розробки Samsung вирішила низку технологічних проблем: усунула деформацію пластин, мінімізувала похибки суміщення шарів завдяки новій технології корекції накладання, покращила архітектуру bit line (BL) та word line (WL), що дозволило знизити енергоспоживання та оптимізувати розміри кристала. Створення 900 шаровоїNANDвідкриває шлях до подальшого збільшення щільності зберігання даних.